ন্যানো ক্রটেক ইলেকট্রনিক Irfz44nl পাসিম সিগারেট মেশিন খুচরা যন্ত্রাংশ

একটি ট্রানজিস্টর হল একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা ইলেকট্রনিক সিগন্যাল এবং বৈদ্যুতিক শক্তিকে প্রশস্ত বা পরিবর্তন করতে ব্যবহৃত হয়।ট্রানজিস্টর হল আধুনিক ইলেকট্রনিক্সের মৌলিক বিল্ডিং ব্লকগুলির মধ্যে একটি।এটি একটি বহিরাগত সার্কিটের সাথে সংযোগের জন্য সাধারণত কমপক্ষে তিনটি টার্মিনাল সহ অর্ধপরিবাহী উপাদান দিয়ে গঠিত।

সুবিধাদি

ট্রানজিস্টরের কম খরচ, নমনীয়তা এবং নির্ভরযোগ্যতা এটিকে সর্বব্যাপী ডিভাইসে পরিণত করেছে।ট্রানজিস্টরাইজড মেকাট্রনিক সার্কিটগুলি যন্ত্রপাতি এবং যন্ত্রপাতি নিয়ন্ত্রণে ইলেক্ট্রোমেকানিকাল ডিভাইসগুলিকে প্রতিস্থাপন করেছে।একই ফাংশন নিয়ন্ত্রণ করার জন্য একটি সমতুল্য যান্ত্রিক সিস্টেম ডিজাইন করার চেয়ে একটি সাধারণ মাইক্রোকন্ট্রোলার ব্যবহার করা এবং একটি নিয়ন্ত্রণ ফাংশন চালানোর জন্য একটি কম্পিউটার প্রোগ্রাম লেখা প্রায়ই সহজ এবং সস্তা।

গণউৎপাদন

1950 এর দশকে, মিশরীয় প্রকৌশলী মোহাম্মদ আতাল্লা বেল ল্যাবসে সিলিকন সেমিকন্ডাক্টরগুলির পৃষ্ঠের বৈশিষ্ট্যগুলি তদন্ত করেছিলেন, যেখানে তিনি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির একটি নতুন পদ্ধতির প্রস্তাব করেছিলেন, সিলিকন অক্সাইডের একটি অন্তরক স্তর দিয়ে একটি সিলিকন ওয়েফারকে আবরণ করেছিলেন যাতে বিদ্যুৎ পরিবাহীতে নির্ভরযোগ্যভাবে প্রবেশ করতে পারে। নীচের সিলিকন, পৃষ্ঠের রাজ্যগুলিকে অতিক্রম করে যা অর্ধপরিবাহী স্তরে বিদ্যুৎ পৌঁছাতে বাধা দেয়।এটি সারফেস প্যাসিভেশন নামে পরিচিত, একটি পদ্ধতি যা সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের জন্য গুরুত্বপূর্ণ হয়ে ওঠে কারণ এটি পরবর্তীতে সিলিকন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের ভর-উৎপাদন সম্ভব করে।

উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ট্রানজিস্টর

প্রথম উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ট্রানজিস্টর ছিল পৃষ্ঠ-বাধা জার্মেনিয়াম ট্রানজিস্টর যা ফিলকো 1953 সালে তৈরি করেছিল, যা 60 মেগাহার্টজ পর্যন্ত কাজ করতে সক্ষম।ইন্ডিয়াম (III) সালফেটের জেট দিয়ে উভয় দিক থেকে একটি এন-টাইপ জার্মেনিয়াম বেসে ডিপ্রেশন এচিং করে এগুলি তৈরি করা হয়েছিল যতক্ষণ না এটি এক ইঞ্চির কয়েক দশ-হাজার ভাগ পুরু হয়।ডিপ্রেশনে ইলেক্ট্রোপ্লেটেড ইন্ডিয়াম সংগ্রাহক এবং বিকিরণকারী তৈরি করে।